近日宣布推出行业首个完整的HBM3 IP解决方案,包括用于2.5D多裸晶芯片封装系统的控制器、PHY和验证IP。HBM3技术可帮助开发者满足高性能计算、AI和图形应用的片上系统(SoC)设计对高带宽和低功耗内存的要求。新思科技的DesignWarereg; HBM3控制器和PHY IP以经过硅验证的HBM2E IP为基础,充分利用新思科技的中介层专业知识,能够提供低风险解决方案,从而实现高达921GB/s的内存带宽。
新思科技验证解决方案包括具有内置覆盖率和验证计划的验证IP、用于ZeBureg;仿真的现成HBM3内存模型以及HAPSreg;原型验证系统,可加快从HBM3 IP到SoC的验证速度。为加速HBM3系统设计的开发,新思科技3DIC Compiler多裸晶芯片设计平台提供了一个完全集成的架构探索、实施和系统级分析解决方案。该技术是HBM2e的升级版,可以满足高性能计算设备,计算加速卡等产品的高带宽需求,采用多层芯片封装的工艺。
新思科技DesignWare HBM3控制器IP支持各种基于HBM3的具有灵活配置选项的系统。与传统的视频存储芯片相比,hbm存储器的速度大幅提升,HBM3可实现高达921GB/s的存储带宽.。该控制器可极大减少延迟并优化数据完整性,具有先进的RAS特性,包括纠错码、刷新管理和奇偶校验。
DesignWare HBM3 PHY IP采用5纳米工艺,可提供预硬化或客户可配置的PHY,每引脚的运行速度高达7,200Mbps,显著提升了功耗效率,并支持多达四个有效工作状态,从而实现动态频率调节。DesignWare HBM3 PHY利用优化的micro bump阵列以尽可能减少占位面积。基于其对中介层绕线长度的支持,开发者可以更加灵活地安排PHY,而不会影响性能。HBM内存通常封装在GPU芯片旁边。
新思科技面向HBM3的验证IP使用新一代原生型SystemVerilog Universal Verification Methodology 架构,简化现有验证环境的整合难度,支持更多测试运行,从而缩短首次测试需要的时间。据外媒TechPowerRUP报道,美国公司Synopsys月9日宣布,推出业界首个完整的HBM3IP存储芯片设计方案。用于ZeBu仿真和HAPS原型验证系统的现成HBM3内存模型可实现RTL和软件验证,从而实现更高水平的性能。
新思科技营销和战略高级副总裁John Koeter表示:ldquo;新思科技不断满足数据密集型SoC的设计和验证要求,为HBM3、DDR5和LPDDR5等领先协议提供高质量的内存接口IP和验证解决方案。完整的HBM3 IP和验证解决方案让开发者可以依赖同一家供应商,就可以满足日益增长的带宽、延迟和功耗要求,同时加速验证收敛。rdquo;
新思科技广泛的DesignWare IP组合包括逻辑库、嵌入式存储器、PVT传感器、嵌入式测试、模拟IP、接口IP、安全IP、嵌入式处理器以及子系统。为了加速原型设计、软件开发以及将IP核整合进芯片,新思科技ldquo;IP Acceleratedrdquo;计划提供IP核原型设计套件、IP核软件开发套件和IP核子系统。我们在IP质量和全面技术支持方面进行了大量投资,以协助开发者降低集成风险,缩短产品上市时间。
供货情况和资源
新思科技DesignWare HBM3控制器、PHY和验证IP以及ZeBu仿真内存模型、HAPS原型设计系统和3DIC Compiler目前有现货供应。
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